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usdt交易平台(www.caibao.it):SamsungGalaxy S21 FE曝光:120Hz挖孔屏 Snapdragon870芯片

2021-02-14 08:28 出处:  人气:   评论( 0

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原题目:SamsungGalaxy S21 FE曝光:120Hz挖孔屏 Snapdragon870芯片

【TechWeb】近年来各大品牌的顶级旗舰系列也最先盛行推出售价更为亲民的青春版本,好比去年Samsung就首次在Galaxy S20系列上带来了廉价版的Galaxy S21 FE机型,以其与顶级旗舰基本一致的焦点设置和更低的售价获得了不少消费者的青睐。现在有最新新闻,继全新的Galaxy S21系列上市后,克日有外媒同样曝光了一款Galaxy S21 FE机型。

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据外媒最新公布的信息显示,全新的SamsungGalaxy S21 FE现在已经在获得了印度的BIS认证,将延续S21系列的居中挖孔屏设计,屏幕尺寸为6.5英吋,解像度为FHD 级,支援120Hz刷新率和屏下指纹识别。搭载高通最新推出的Snapdragon870处理器,性能跨越前代的Snapdragon865 芯片,同样是妥妥的旗舰级别,并配备至少8GB 128GB存储组合。

除此之外,该机将后置1200万像素广角 1200万像素超广角 800万像素长焦镜头组成的散射线相机模组,支援三倍变焦拍摄,其前置相机为3200万像素规格。此外,SamsungGalaxy S21 FE将内置4500mAh电池,支援快速充电,预装基于Android 10的ONE UI2.5操作系统。

据悉,全新的SamsungGalaxy S21 FE机型将于近期与人人碰头,将继续前代的高性价比设计。除此之外,有新闻称该机还将提供一款4G版本,其将搭载Samsung自家的猎户座 Exynos 990芯片,售价将会进一步降低。更多详细信息,我们拭目以待。


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